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Si3460BDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
0.0 8
0.07
I D = 5.1 A
25 °C
0.06
0.05
T J = 150 °C
I D = 5.1 A
10
1
T J = 25 °C
0.04
0.03
0.02
0.01
0.00
125 °C
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1
1.2
0
1
2
3
4
5
0. 8
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.7
I D = 250 μ A
40
0.6
30
0.5
20
0.4
0.3
0.2
10
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power (Junction-to-Ambient)
100
Limited b y R DS(on) *
10
1 ms
1
10 ms
100 ms
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
1s
10 s
DC
BVDSS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS
minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74412
S09-1498-Rev. C, 10-Aug-09
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